三星990 EVO Plus固态硬盘评测 这个Plus有点猛

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解决方案1：

三星990 EVO Plus固态硬盘评测：性能强劲，PCIe5.0/4.0双模兼容

三星在今年9月份推出了990 EVO Plus固态硬盘，作为990 EVO的升级版，它在性能上实现了大幅提升，同时保持了PCIe5.0和PCIe4.0双平台的兼容性。以下是对这款产品的详细评测。

一、产品亮点

双模式兼容：三星990 EVO Plus支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2双模式，可根据主板插槽支持的PCIe版本自动切换，提供灵活的兼容性。第八代V-NAND TLC闪存：配备三星最新的第八代V-NAND TLC原厂闪存颗粒，236层堆叠技术显著提升了存储密度和性能。5nm工艺自研主控：采用三星5nm工艺制程的自研主控芯片，表面镀镍设计提升散热效率，内置动态散热保护机制（DTG），减少过热情况。高性能读写速度：最高顺序读写速度可达7250MB/s和6300MB/s，最高随机读写性能达到1050K IOPS和1400K IOPS，大幅提升数据传输效率。Intelligent TurboWrite2.0技术：大幅提升了SLC缓存空间，2TB版本最高可达226GB，提升数据写入速度。高效电源管理：电源效率比三星990 EVO提升73%，降低功耗，提升整体效能。

二、外观与拆解

三星990 EVO Plus采用与990 EVO相同的外包装设计，清爽的蓝色主视觉搭配大字体的型号标识。产品采用黑色的PCB，正面的散热标签稍小，设计风格有所变化。背面大面积的敷铜线路提升抗干扰性能和传热效果，NAND FLASH芯片位置贴有铜箔散热片。

拆解后可见，元器件布局与990 EVO基本相同，采用DRAMLess无外置缓存设计，主要部件为主控芯片和一颗NAND FLASH存储芯片。主控芯片型号与990 EVO相同，但表面采用镀镍设计，提升散热效率。

三、基准性能测试

在顺序读写性能方面，三星990 EVO Plus在PCIe5.0x2和PCIe4.0x4模式下均表现出色，实测最高顺序读写速度接近官方标称值。随机性能方面，读写分别达到了1052K IOPS和1368K IOPS，大幅超越990 EVO，几乎可与配备DRAM的固态硬盘产品相媲美。

四、进阶性能测试

在SLC缓存机制和随机性能的进一步测试中，三星990 EVO Plus表现出色。在128KB顺序写入测试中，空盘时Turbo Cache实为226GB左右，缓存用尽后TLC稳态直写速度在1200-1400MBps之间。发热量测试中，最高温度仅有76℃，温度控制十分优秀。

五、应用模拟测试

在应用模拟测试中，三星990 EVO Plus同样表现出色。PCMARK10完整系统盘测试得分4267分，带宽为677.32MB/s。3DMARK存储DLC测试得分为4284分，平均带宽为735.29MB/s。FF XIV EndWalker Benchmark游戏加载模拟测试中，全部的转场载入时间仅为7.236秒。

六、专属软件管理

三星存储推出了专用管理软件SAMSUNG Magician，支持固态硬盘、移动固态硬盘、U盘和存储卡等全线存储产品的集中监控和管理。用户可以通过该软件了解存储产品的性能、设置性能模式、进行测速等操作。

七、总结

三星990 EVO Plus固态硬盘在性能上实现了大幅提升，同时保持了PCIe5.0和PCIe4.0双平台的兼容性。它配备三星最新的第八代V-NAND TLC原厂闪存芯片和5nm工艺自研主控芯片，提供高性能的读写速度和随机性能。此外，它还具备出色的温度控制和电源管理效率。作为新品上市，三星990 EVO Plus在双十一期间有着较大的优惠幅度，是性价比极高的固态硬盘之一。三星原厂品质值得信赖，有升级和扩容需求的朋友现在可以入手了。