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专利名称：磁流体密封装置及半导体设备专利类型：实用新型专利发明人：石志平,吴宗祐,林宗贤申请号：CN201721638653.8申请日：20171130公开号：CN207935445U公开日：20181002
摘要：本实用新型提供一种磁流体密封装置及半导体设备，所述磁流体密封装置包括：两个平行间隔排布的环形磁极，所述环形磁极内形成有第一通孔，两所述环形磁极的第一通孔对应设置；环形永磁体，位于两所述环形磁极之间；磁流体，位于各所述环形磁极内侧。本实用新型的磁流体密封装置采用磁流体可以对介质进行严密的高度稳定的动密封或静密封，从而不会存在泄漏；本实用新型采用磁流体实现密封，磁流体是一种惰性、稳定、低蒸气压的二酯基有机物，其挥发量极低，可长期使用，使用寿命长，甚至可以达到10年以上无需维修；本实用新型的磁流体密封装置不存在机械磨损，没有微粒产生，不会造成污染。
申请人：德淮半导体有限公司
地址：223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：余明伟
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