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用于CMOS图像传感器降噪处理的自适应混合降噪方法[发明专利]

来源:华拓科技网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:用于CMOS图像传感器降噪处理的自适应混合降噪

方法

专利类型:发明专利发明人:李明,李梦萄,刘昌举申请号:CN201510631343.2申请日:20150929公开号:CN105260991A公开日:20160120

摘要:本发明公开了一种用于CMOS图像传感器降噪处理的自适应混合降噪方法,包括CMOS图像传感器输出的图像,所述图像由R、G、B三种类型的像素单元组成,其创新在于:所述自适应混合降噪方法能对图像中的混合噪声进行高效的降噪处理;本发明的有益技术效果是:提出了一种新的用于CMOS图像传感器降噪处理的自适应混合降噪方法,处理手段的复杂度较低,在兼顾了处理效果的同时,大大降低了硬件开销。

申请人:中国电子科技集团公司第四十四研究所

地址:400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所

国籍:CN

代理机构:重庆辉腾律师事务所

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