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专利名称：辐射探测电路专利类型：发明专利
发明人：刘梦新,刘鑫,赵发展,韩郑生申请号：CN2014103636.8申请日：20141110公开号：CN104345329A公开日：20150211
摘要：本发明提供了一种辐射探测电路，包括：第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管、第一电流源、第二电流源和差分放大器，其中，第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管均用于感测待测辐射；第一电流源和第一辐射敏感PMOS晶体管串联形成第一支路；第二电流源和第二辐射敏感PMOS晶体管串联形成第二支路；第一支路和第二支路并联，且从第一辐射敏感PMOS晶体管、第二辐射敏感PMOS晶体管分别引出的第一支路输出端、第二支路输出端接到差分放大器的两个输入端，差分放大器的输出反映出待测辐射的大小。本发明提供了一种辐射探测电路，它结构简单，并减轻环境噪声的影响。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：朱海波
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