专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种同轴TSV结构转接板及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：王强文,郭育华,王运龙,刘建军,邱颖霞申请号：CN201811237761.3申请日：20181022公开号：CN109461699A公开日：20190312
摘要：本发明公开一种同轴TSV结构转接板及其制作方法，包括步骤：对硅片晶圆进行预处理，所述硅片晶圆具有相对应的正面和反面；在所述正面加工内圈铜柱结构；在所述背面以所述内圈铜柱结构的金属铜柱为中心制作大外径的硅盲孔；在所述硅盲孔的侧壁表面加工形成外圈金属层；在具有所述外圈金属层的所述硅盲孔内填充中间介质层并固化；加工所述正面和所述背面至表面平坦化，在所述正面加工至直到露出所述中间介质层，在所述背面加工至露出所述内圈铜柱结构的所述金属铜柱；在所述正面和所述背面加工同轴TSV孔焊盘、同轴TSV孔互连传输线，形成具有TSV同轴结构的硅转接板；本发明简化聚合物介质的填充工艺，可控并且重复性好，利于实现批量化生产制作。
申请人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
地址：230000 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号
国籍：CN
代理机构：合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙)
代理人：顾炜烨
更多信息请下载全文后查看
