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专利名称：应变SiGeSn鳍型光电探测器专利类型：发明专利
发明人：韩根全,张春福,郝跃,张进城,唐诗申请号：CN201410737288.0申请日：20141205公开号：CN104409530A公开日：20150311
摘要：本发明公开了一种应变SiGeSn鳍型光电探测器，主要解决现有光电探测器中材料毒性大、成本高的问题。其自下而上包括：下电极(102)、吸收区(103)、上电极(104)和应力薄膜(105)；吸收区(103)采用空隙与SiGeSn复合材料相交错构成的鳍型结构，该SiGeSn复合材料在衬底(101)上外延不同组分的Ge和Sn获得，其通式为SiGeSn，其中0≤x≤0.25，0≤y≤0.75；应力薄膜(105)包裹在吸收区(103)的侧面和上电极(104)表面。本发明通过应力薄膜(105)在SiGeSn复合材料中产生的应变改变吸收区(103)带隙，提高了探测器的光谱响应范围。
申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白南路2号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
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