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专利名称：具有防静电放电保护的集成电路专利类型：发明专利
发明人：H·菲舍尔,J·林多尔夫,M·B·索默申请号：CN200480027623.2申请日：20040920公开号：CN18331A公开日：20061115
摘要：本发明涉及一种具有防静电放电保护的集成电路，包括具有源极接线端(S1)、漏极接线端(D1)和栅极接线端(G1)的第一晶体管(T1)。该集成电路还包括具有源极接线端(S2)、漏极接线端(D2)和栅极接线端(G2)的第二晶体管(T2)。在第一晶体管(T1)和第二晶体管(T2)中，栅极接线端各自与漏极接线端连接。第一晶体管(T1)与第二晶体管(T2)串联，方法是第一晶体管的漏极和源极接线端与第二晶体管的漏极和源极接线端连接。晶体管的串联电路连接在集成电路的输入接线端上或者连接在集成电路的供电接线端和用于施加基准电位的接线端上。集成电路的串联电路尺寸通过晶体管的数量和调整晶体管的沟道长度和沟道宽度比确定。
申请人：英飞凌科技股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：中国专利代理()有限公司
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