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专利名称：具有低栅极输入电阻的功率半导体组件及其制作方
法
专利类型：发明专利
发明人：林伟捷,杨国良,林家福,廖显皓申请号：CN201010212973.3申请日：20100624公开号：CN102299153A公开日：20111228
摘要：本发明公开了一种具有低柵极输入电阻的功率半导体组件与其制作方法。上述功率半导体组件包括一基底、至少一沟道式晶体管、一导电层与一金属接触插塞、一绝缘层与一层间介电层、以及一柵极金属层与一源极金属层。其中，金属接触插塞可作为一埋藏式柵极金属汇流线路，因此可以穿过源极金属层的下方，且仍维持完整的源极金属层。据此，本发明可提供较低的柵极输入电阻，且可以不需分割源极金属层，使源极金属层可以具有较大的面积以利后续的封装打线工艺。
申请人：大中积体电路股份有限公司
地址：中国新竹
国籍：CN
代理机构：北京市浩天知识产权代理事务所
代理人：刘云贵
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