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专利名称：一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方
法
专利类型：发明专利
发明人：于乐泳,胡云,孙泰,杨俊,魏大鹏,史浩飞,杜春雷申请号：CN201610695734.5申请日：20160819公开号：CN106367717A公开日：20170201
摘要：本发明提供了一种一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方法，隶属微纳制造领域。该方法先对生长基底进行图形化处理，再对图形化后的生长基底进行制绒处理，然后采用磁控溅射方法在生长基底上沉积催化剂，再复合生长一维碳纳米管和三维石墨烯，最后将一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料从生长基底上剥离。该方法解决了传统工艺中程序复杂，且不能直接从生长基底剥离的问题，此方法可以直接把图形化后的石墨烯复合材料应用于柔性器件等领域。
申请人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
地址：400714 重庆市北碚区方正大道266号
国籍：CN
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