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晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置及老化方法[发明专利]

来源:华拓科技网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置及老化方法专利类型:发明专利

发明人:陈根茂,彭江,王人松,何连生申请号:CN201010507657.9申请日:20101015公开号:CN1020347A公开日:20110427

摘要:本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置及老化方法,该装置包括电源、支架、设于支架上的上导电板和下导电板,以及驱动装置;所述上导电板和下导电板上下相对设置,其中一个导电板与支架固定连接,另一个导电板与所述驱动装置的输出端连接;所述上导电板和下导电板分别通过导线与电源连接。本发明的晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置能利用电致衰减原理实现了对电池片的早期衰减,实现电池片早期衰减的工业化生产线上应用。

申请人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司

地址:215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号

国籍:CN

代理机构:苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人:陶海锋

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