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专利名称：集成电路的可靠性分析测试结构及其测试方法专利类型：发明专利发明人：冯军宏,甘正浩申请号：CN2012105924.5申请日：20121231公开号：CN103915415A公开日：20140709
摘要：本发明揭示了一种集成电路的可靠性分析测试结构，该测试结构包括：衬底，包含有源区和隔离区，具有一栅极、通孔和一互连线的n级待测结构，测试电压端以及电介质，所述通孔位于所述隔离区上。本发明还揭示了该测试结构的测试方法，包括：根据所述的测试结构实际形成待测试结构；对所述待测结构施加电压使所述待测结构失效，所述测试电压端接入测试电压，所述有源区和每一级的所述节点均接地，直到所述待测结构失效；测试所述待测结构的失效位置，所述测试电压端接入工作电压，分别使所述有源区和每一级的所述节点接地。本发明的测试结构能准确评估有源区上的通孔与相邻栅极之间电介质的可靠性。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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