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专利名称：MEMS封装结构及其制作方法专利类型：发明专利发明人：秦晓珊
申请号：CN201811614217.6申请日：20181227公开号：CN111377391A公开日：20200707
摘要：本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法。所述MEMS封装结构包括MEMS芯片及器件晶圆，器件晶圆中设置有控制单元以及互连结构，器件晶圆的第一接合面设置有第一接触垫和输入输出连接件，MEMS芯片通过接合层在第一接合面上并列排布，MEMS芯片具有微腔和第二接触垫，所述MEMS芯片的微腔具有与芯片外部连通的通孔，其中第一接触垫与相应的第二接触垫电连接，接合层中具有露出输入输出连接件的开口。上述MEMS封装结构相对于现有集成方法可以缩小封装结构的尺寸，并且同一器件晶圆上可集成多种MEMS芯片，因而可同时提高封装结构的功能集成能力。
申请人：中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
地址：201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路85弄95号1幢3楼C区309
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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