静电测量设备及静电测量方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN202010054522.5 （22）申请日 2020.01.17

（71）申请人 上海华力集成电路制造有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

（10）申请公布号 CN111257714A

（43）申请公布日 2020.06.09

（72）发明人 袁增艺;龙吟;王恺

（74）专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司

代理人 焦天雷

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

静电测量设备及静电测量方法

（57）摘要

本发明公开了一种用于半导体晶圆表面静

电测量的静电测量设备，包括：支撑部顶部设有多个第一电性测量件，各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接；第二电性测量件卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接；测量单元第一端电性连接各第一电性测量件第二端，其第二端电性连接第二电性测量件，其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流。本发明还公开了一种用于半导体晶圆表

面静电测量的静电测量方法。通过本发明提供的静电测量设备/测量方法能够在半导体生产中及时发现晶圆静电，并能够通过本发明提供的静电测量设备将晶圆静电接地导出，避免晶圆静电造成后续工艺缺陷，进而提高半导体产品的良品率，提高生产效率。

法律状态

法律状态公告日2020-06-09 2020-06-09 2020-07-03

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效

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权利要求说明书

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说明书

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