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专利名称：一种斜面光接收的光电探测器专利类型：发明专利
发明人：申华军,李志华,杨成樾,万里兮,李宝霞申请号：CN200710099874.7申请日：20070531公开号：CN101315955A公开日：20081203
摘要：本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域，公开了一种斜面光接收的光电探测器，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的上表面为单电极或双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器，有源区位于器件的斜面上，能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合，不需要光路传输方向的转变，形成简便高效的光探测接收端，简化了光路的耦合对准。由于不需要光路传输方向的转变，因而也就不需要精密的光路对准装置，使得工艺和对准的难度大大降低，成本下降，并减少了光损耗，提高了耦合效率。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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