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专利名称：快速退火处理中晶片位置校正方法专利类型：发明专利发明人：陈勇,朱红波
申请号：CN201010603138.2申请日：20101223公开号：CN102569145A公开日：20120711
摘要：本发明公开了一种快速退火处理中晶片位置校正方法，采用激光束分别探测沿第1、2、3...N控片半径方向的第1点和第2点之间的第1距离、第2距离、第3距离...第N距离，i从1取至N/2，分别判断第i距离与第i+N/2距离之差的绝对值是否小于等于预先设置的阈值D，如果大于阈值D，则确定第i调整方向和第i调整量，根据所确定的调整方向和调整量对机械臂进行调整，采用调整后的机械臂将产品晶片放置于腔室内部的外缘圆环上。采用本发明公开的方法能够提高晶片位置的校正效率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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