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铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法[发明专利]

来源:华拓科技网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法专利类型:发明专利发明人:黄富强,王耀明申请号:CN200880124039.7申请日:20081229公开号:CN101960610A公开日:20110126

摘要:提供一种铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法。它采用非真空液相化学方法,包括以下步骤:形成含铜、铟、镓、硫和硒的源溶液;通过非真空液相工艺将该溶液在衬底上制成前驱薄膜;以及将前驱薄膜干燥并退火,从而形成铜铟镓硫硒化合物薄膜。

申请人:中国科学院上海硅酸盐研究所

地址:200050 中国上海市定西路1295号

国籍:CN

代理机构:上海专利商标事务所有限公司

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