期待吗？三星Galaxy S10有望首发LPDDR5内存和UFS 3.0闪存

华拓科技网

2024-08-12

安卓的新一轮硬件“军备竞赛”似乎要开始了，包括7nm CPU、LPDDR5、UFS 3.0等……

来自国外爆料人Samsung_News_的消息，他听闻三星Galaxy S10将搭载LPDDR5 RAM。

去年夏季，三星宣布开发出首款LPDDR5-00内存芯片，基于10nm级（10nm~20nm）工艺，单晶片容量8Gb。

除了速度的提升，LPDDR5内存芯片相较LPDDR4X，功耗还减少了30%，可以说十分优秀。

不过，这份爆料需要谨慎看待，因为去年10月的在港举办的高通4G/5G峰会上，三星人士透露，LPDDR5内存计划2020年商用，只是当时倒是说，UFS 3.0闪存会在今年上半年商用，首批解决方案涵盖供128GB、256GB和512GB三种容量，最大数据传输速率为2000MB/s。

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